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電鍍又稱化學鍍(Electroplating)：

是利用電解的原理將導電體鋪上一層金屬的方法。除

了導電體以外，電鍍亦可用於經過特殊處理的塑膠上。電鍍的主要用途包括防止金屬氧化（如鏽蝕）以及進行裝飾。不少硬幣的外層亦為電鍍。

電鍍的過程基本如下：

1.把鍍上去的金屬接在陽極，或者把待鍍金屬的可溶性鹽添加在槽液中。

2.要被電鍍的物件接在陰極。

3.陰陽極以鍍上去的金屬的正離子組成的電解質溶液相連。

4.通以直流電的電源後，陽極的金屬會釋放電子，溶液中的正離子則在陰極還原（得到電子）成原子並積聚在陰極表層。

噴漆：

通過噴槍或碟式霧化器，藉助於壓力或離心力，分散成均勻而微細的霧滴，施塗於被塗物表面的塗裝方法。噴漆一般還需要結合烤漆工藝，而且還需多次噴漆(底漆、中漆、面漆等)，才能提高附著力。

噴漆步驟：

①除油→②清洗→③除銹→④清洗→⑤表調→⑥磷化→⑦清洗→⑧乾燥→⑨噴塗→⑩乾燥→⑪質量檢查

熱噴塗又稱溶射或噴焊：

基本原理是將材料（粉末或線材）加熱 熔化，在氣體帶送高速下衝擊附著於底材（或工件）表面 、堆積、凝固形成膜厚或塗層，達到防腐蝕、防銹、耐磨、潤滑、表面粗糙化、吸附、絕緣、絕熱....等目的。

熱噴塗是表面處理中的一項特殊處理技術，用途廣泛。

熱噴塗步驟：

①工件表面凈化→②表面預加工→③表面粗化→④預熱→⑤噴塗底層→⑥噴塗工作層→⑦噴後進行封孔處理→⑧噴後機加工。

雷射淬火：

利用雷射將材料表面加熱到相變點以上，隨著材料自身冷卻，奧氏體轉變為馬氏體，從而使材料表面硬化的淬火技術。

採用雷射淬火齒面，其加熱冷卻速度很高，工藝周期短，不需要外部淬火介質.具有工件變形小，工作環境潔淨，處理後不需要磨齒等精加工，且被處理齒輪尺寸不受熱處理設備尺寸的限制等獨特優點。

雷射淬火步驟：

①工件除油除鏽→②工件裝夾固定→③圓調度檢測→④粗糙度檢測→⑤調整離焦量→⑥設定功率→⑦設定搭接量急速度→⑧淬火處理→⑨淬火效果檢測。

雷射熔覆：

指以不同的添料方式在被熔覆基體表面上放置被選擇的塗層材料經雷射輻照使之和基體表面一薄層同時熔化，並快速凝固後形成稀釋度極低，與基體成冶金結合的表面塗層，顯著改善基層表面的耐磨、耐蝕、耐熱、抗氧化及電氣特性的工藝方法，從而達到表面改性或修復的目的，既滿足了對材料表面特定性能的要求，又節約了大量的貴重元素。

與堆焊、噴塗、電鍍和氣相沉積相比，雷射熔覆具有稀釋度小、組織緻密、塗層與基體結合好、適合熔覆材料多、粒度及含量變化大等特點，因此雷射熔覆技術套用前景十分廣闊。

雷射熔覆的工藝參數主要有雷射功率、光斑直徑、熔覆速度、離焦量、送粉速度、掃描速度、預熱溫度等。這些參數對熔覆層的稀釋率、裂紋、表面粗糙度以及熔覆零件的緻密性等有很大影響。各參數之間也相互影響，是一個非常複雜的過程，須採用合理的控制方法將這些參數控制在雷射熔覆工藝允許的範圍內。

雷射熔覆有3個重要的工藝參數：

1.雷射功率：

雷射功率越大，融化的熔覆金屬量越多，產生氣孔的機率越大。隨著雷射功率增加，熔覆層深度增加，周圍的液體金屬劇烈波動，動態凝固結晶，使氣孔數量逐漸減少甚至得以消除，裂紋也逐漸減少。當熔覆層深度達到極限深度後，隨著功率提高，基體表面溫度升高，變形和開裂現象加劇，雷射功率過小，僅表面塗層融化，基體未熔，此時熔覆層表面出現局部起球、空洞等，達不到表面熔覆目的。

2.光斑直徑：

雷射束一般為圓形。熔覆層寬度主要取決於雷射束的光斑直徑，光斑直徑增加，熔覆層變寬。光斑尺寸不同會引起熔覆層表面能量分布變化，所獲得的熔覆層形貌和組織性能有較大差別。一般來說，在小尺寸光斑下，熔覆層質量較好，隨著光斑尺寸增大，熔覆層質量下降。但光斑直徑過小，不利於獲得大面積的熔覆層。

3.熔覆速度：

熔覆速度V與雷射功率P有相似的影響。熔覆速度過高，合金粉末不能完全融化，未起到優質熔覆的效果;熔覆速度太低，熔池存在時間過長，粉末過燒，合金元素損失，同時基體的熱輸入量大，會增加變形量。

物理氣相沉積法：

也稱為物理蒸鍍，基本原理是在真空條件下，使金屬、金屬合金或化合物蒸發，然後沉積在基體表面上，蒸發的方法常用電阻加熱，高頻感應加熱，電子束、雷射束、離子束高能轟擊鍍料，使蒸發成氣相，然後沉積在基體表面，歷史上，物理氣相沉積法是PVD法中使用最早的技術。

物理氣相沉積技術基本原理可分三個工藝步驟：

(1)鍍料的氣化:即使鍍料蒸發，異華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。

(2)鍍料原子、分子或離子的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子碰撞後，產生多種反應。

(3)鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。

真空蒸鍍的基本工藝過程如下:

(1)鍍前處理，包括清洗鍍件和預處理。具體清洗方法有清洗劑清洗、化學溶劑清洗、超音波清洗和離子轟擊清洗等。具體預處理有除靜電，塗底漆等。

(2)裝爐，包括真空室清理及鍍件掛具的清洗，蒸發源安裝、調試、鍍件褂卡。

(3)抽真空，一般先粗抽至6.6Pa以上，更早開啟擴散泵的前級維持真空泵，加熱擴散泵，待預熱足夠後，開啟高閥，用擴散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。

(4)烘烤，將鍍件烘烤加熱到所需溫度。

(5)離子轟擊，真空度一般在10Pa~10-1Pa，離子轟擊電壓200V~1kV負高壓，離擊時間為5min~30min,

(6)預熔，調整電流使鍍料預熔，除氣1min~2min。

(7)蒸發沉積，根據要求調整蒸發電流，直到所需沉積時間結束。

(8)冷卻，鍍件在真空室內冷卻到一定溫度。

(9)出爐，.取件後，關閉真空室，抽真空至l × l0-1Pa，擴散泵冷卻到允許溫度，才可關閉維持泵和冷卻水。

(10)後處理，塗面漆。

化學氣相沉積

(Chemical vapor deposition，簡稱CVD)：

是傳統的製備薄膜的技術，其原理是利用氣態的先驅反應物，通過原子、分子間化學反應，使得氣態前驅體中的某些成分分解，而在基體上形成薄膜。化學氣相沉積包括常壓化學氣相沉積、電漿輔助化學沉積、雷射輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積等。與之相對的是物理氣相沉積（PVD）。

化學氣相沉積特點：

1)在中溫或高溫下，通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。

2)可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好)。

3)採用等離子和雷射輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。

4)塗層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。

5)可以控制塗層的密度和塗層純度。

6)繞鍍件好。可在複雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合塗覆各種複雜形狀的工件。由於它的繞鍍性能好，所以可塗覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。

7)沉積層通常具有柱狀晶體結構，不耐彎曲，但可通過各種技術對化學反應進行氣相擾動，以改善其結構。

8)可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物塗層。